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Kristallwachstum mit kristallografischer Vorzugsrichtung

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maow:
Hallo liebe Mitmenschen,

ich habe eine Frage bzgl. eines Problems. Ich studiere eigentlich Geologie, bin allerdings aufgrund des Grundstudiums innerhalb dieses Studienganges noch sehr breit gefächert, d.h. ich hab wenn dann v.a. Grundlagen gehört. Das schließt allerdings viele Dinge nicht ein; gerade was die Mineralogie betrifft habe ich daher nur eine sehr grobe Vorstellung.

Ich möchte nun mittels der Elektronenbeugung kristallografische Orientierungsbestimmungen von Kristallen in polykristallinen Materialien durchführen. Dabei kann es vorkommen, dass ein Mineral der Sorte B auf einem vorher gebildeten Mineral A wächst. Was ich mich jetzt frage ist : Wieso genau wächst das Folgemineral bevorzugt in diese entsprechende Richtung?

Beispiel (nicht Validiert):

Mineral A ist kubisch innenzentriert, d.h. die Einheitszelle hat an allen Ecken Atome und zusätzlich in der Mitte des Würfels ein Atom. Vermutet sei jetzt einfach mal, dass sich Mineral B bevorzugt in der Richtungder raumdiagonalen Fläche bildet , also der (111) Fläche , einfach da die Atomdichte hoch ist.

Was sollte man sich speziell anschauen um Mineralbildung (mit Vorzugsrichtung) zu verstehen? Gibt es nützliche und v.a. für Anfänger verständliche Fachliteratur? Eine Antwort wäre selbstverständlich auch toll und hilft mir beim verstehen.

Fabian99:
Hallo,

du sucht eine hetero-Epitaxie.
Also eine Verträglichkeit der Ionenlage und einen passenden Gitterabstand.

Std-Einsteigerwerk: Kleber, Einführung in die Kristallographie

LG

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